Produkte > ROCHESTER ELECTRONICS, LLC > 3LP01M-TL-H
3LP01M-TL-H

3LP01M-TL-H Rochester Electronics, LLC

ONSMS35154-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: SMALL SIGNAL FET
auf Bestellung 1441718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4808+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4808 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 3LP01M-TL-H Rochester Electronics, LLC

Description: ONSEMI - 3LP01M-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote 3LP01M-TL-H nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
3LP01M-TL-H 3LP01M-TL-H ONSEMI ONSMS35154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 3LP01M-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3LP01M-TL-H 3LP01M-TL-H ON Semiconductor 3LP01M-D-34767.pdf MOSFET SWITCHING DEVICE
auf Bestellung 5484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3LP01M-TL-H ON Semiconductor 3LP01M-D.PDF ONSMS35154-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3LP01M-TL-H ONSMS35154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
3LP01M-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 3LP01M-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3LP01M-TL-H 3LP01M-D-34767.pdf
3LP01M-TL-H
Hersteller: ON Semiconductor
MOSFET SWITCHING DEVICE
auf Bestellung 5484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3LP01M-TL-H 3LP01M-D.PDF ONSMS35154-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH