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3SK293(TE85L,F)

3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=17968&prodName=3SK293
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V USQ
Gain: 22dB
Configuration: N-Channel Dual Gate
Frequency: 800MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 30mA
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 12.5 V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: USQ
Noise Figure: 2.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 30000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
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15000+0.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details 3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: RF MOSFET 6V USQ, Gain: 22dB, Configuration: N-Channel Dual Gate, Frequency: 800MHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 30mA, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 6 V, Voltage - Rated: 12.5 V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: USQ, Noise Figure: 2.5dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
3SK293 (TE85L,F) 3SK293 (TE85L,F) Toshiba T3SK293_0002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 12,5V; 8V; 30mA; 100mW; -55°C ~ 125°C; 3SK293(TE85L,F) 3SK293 T3SK293
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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50+0.88 EUR
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3SK293(TE85L,F) 3SK293(TE85L,F) Toshiba 3SK293_datasheet_en_20140301-3107028.pdf RF MOSFET Transistors N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V
auf Bestellung 5415 Stücke:
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4+0.89 EUR
10+0.76 EUR
100+0.52 EUR
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3SK293(TE85L,F) 3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17968&prodName=3SK293 Description: RF MOSFET 6V USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: USQ
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
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20+1.07 EUR
27+0.81 EUR
100+0.58 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
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Transistor N-Channel MOSFET; 12,5V; 8V; 30mA; 100mW; -55°C ~ 125°C; 3SK293(TE85L,F) 3SK293 T3SK293
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Hersteller: Toshiba
RF MOSFET Transistors N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V
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Description: RF MOSFET 6V USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
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Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
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