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4435

4435 Goford Semiconductor

4435.pdf Hersteller: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1818 pF @ 15 V
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Technische Details 4435 Goford Semiconductor

P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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4435 Hersteller : DG 4435.pdf SOP8 04+
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4435 4435 Hersteller : Goford Semiconductor 4435.pdf Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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