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4435

4435 Goford Semiconductor

4435.pdf
Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.24 EUR
16000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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Technische Details 4435 Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 11A SOP-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
4435 4435 Goford Semiconductor 4435.pdf Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1818 pF @ 15 V
auf Bestellung 3597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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4435 GOFORD Semiconductor 4435.pdf P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
auf Bestellung 40000 Stücke:
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16000+0.2 EUR
32000+0.19 EUR
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4435 GOFORD Semiconductor 4435.pdf P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
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4435 DG 4435.pdf SOP8 04+
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FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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P-CH,-30V,-11A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 33mOhm at -4.5V,VTH -1V to -2.5V ,SOP-8
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