Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 4N25TM ON Semiconductor
Оптрон із транзисторним виходом з базою, Uвих, В = 30, Uiso, кВ = 7,5, Кп = 20% @ 10 мА, If, мА = 60, Uf, В = 1,18, Тексп, °С = -40...+100, Тип вх. сиг. = однонапрямлений,... Оптоелектроніка Корпус: DIP-6 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke.
Weitere Produktangebote 4N25TM
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| 4N25TM | Vishay Semiconductor |
Оптрон із транзисторним виходом з базою, Uвих, В = 30, Uiso, кВ = 7,5, Кп = 20% @ 10 мА, If, мА = 60, Uf, В = 1,18, Тексп, °С = -40...+100, Тип вх. сиг. = однонапрямлений,... Оптоелектроніка Корпус: DIP-6 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 4N25TM |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductor
Оптрон із транзисторним виходом з базою, Uвих, В = 30, Uiso, кВ = 7,5, Кп = 20% @ 10 мА, If, мА = 60, Uf, В = 1,18, Тексп, °С = -40...+100, Тип вх. сиг. = однонапрямлений,... Оптоелектроніка Корпус: DIP-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Оптрон із транзисторним виходом з базою, Uвих, В = 30, Uiso, кВ = 7,5, Кп = 20% @ 10 мА, If, мА = 60, Uf, В = 1,18, Тексп, °С = -40...+100, Тип вх. сиг. = однонапрямлений,... Оптоелектроніка Корпус: DIP-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


