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50A02MH-TL-E

50A02MH-TL-E onsemi

50a02mh-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.5A 3-MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 690MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 51000 Stücke:
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Technische Details 50A02MH-TL-E onsemi

Description: ONSEMI - 50A02MH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 600 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 690MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
50A02MH-TL-E 50A02MH-TL-E onsemi 50a02mh-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.5A 3-MCPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 690MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
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50A02MH-TL-E 50A02MH-TL-E onsemi 50A02MH_D-2309647.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 50V
auf Bestellung 5305 Stücke:
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4+0.92 EUR
10+0.64 EUR
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50A02MH-TL-E 50A02MH-TL-E ONSEMI ONSMS36594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 50A02MH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 600 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 690MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3105 Stücke:
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388+0.6 EUR
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50A02MH-TL-E ON Semiconductor 50a02mh-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R
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50A02MH-TL-E ON Semiconductor 50a02mh-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R
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50A02MH-TL-E ON Semiconductor 50a02mh-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R
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810+0.21 EUR
818+0.2 EUR
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3000+0.13 EUR
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50A02MH-TL-E ON Semiconductor 50a02mh-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R
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50A02MH-TL-E
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Description: TRANS PNP 50V 0.5A 3-MCPH
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Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 690MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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50A02MH-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 50A02MH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 600 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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