50A02MH-TL-E onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.5A 3-MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 690MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.17 EUR |
| 6000+ | 0.15 EUR |
| 9000+ | 0.14 EUR |
| 15000+ | 0.13 EUR |
| 30000+ | 0.12 EUR |
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Technische Details 50A02MH-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - 50A02MH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 600 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 690MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 50A02MH-TL-E nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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50A02MH-TL-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.5A 3-MCPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 690MHz Supplier Device Package: 3-MCPH Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 600 mW |
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50A02MH-TL-E | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 50V |
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50A02MH-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 50A02MH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 600 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 690MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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50A02MH-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 50A02MH-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 50A02MH-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 50A02MH-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R |
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| 50A02MH-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
50A02MH-TL-E PNP SMD transistors |
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| 50A02MH-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R |
auf Bestellung 8734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 50A02MH-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R |
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