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50A02SS-TL-E

50A02SS-TL-E onsemi

en7491-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.4A 3SSFP
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Supplier Device Package: 3-SSFP
Frequency - Transition: 690MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-81
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details 50A02SS-TL-E onsemi

Description: ONSEMI - 50A02SS-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 400 mA, 200 mW, SC-81, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 400mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-81, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 690MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
50A02SS-TL-E 50A02SS-TL-E onsemi en7491-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.4A 3SSFP
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Supplier Device Package: 3-SSFP
Frequency - Transition: 690MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-81
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50A02SS-TL-E 50A02SS-TL-E ON Semiconductor EN7491-D-1804170.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.4A 50V
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50A02SS-TL-E 50A02SS-TL-E ONSEMI ONSMS36183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 50A02SS-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 400 mA, 200 mW, SC-81, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-81
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 690MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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50A02SS-TL-E ON Semiconductor en7491-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.4A 200mW 3-Pin SSFP T/R
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Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Supplier Device Package: 3-SSFP
Frequency - Transition: 690MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
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Description: ONSEMI - 50A02SS-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 400 mA, 200 mW, SC-81, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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