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55GN01FA-TL-H

55GN01FA-TL-H onsemi

55gn01fa.pdf Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3-SSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 4.5GHz ~ 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Active
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Technische Details 55GN01FA-TL-H onsemi

Description: RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3-SSFP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-81, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz, Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 4.5GHz ~ 5.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz, Supplier Device Package: 3-SSFP, Part Status: Active.

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55GN01FA-TL-H Hersteller : ONSEMI 55gn01fa.pdf 55GN01FA-TL-H NPN SMD transistors
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55GN01FA-TL-H 55GN01FA-TL-H Hersteller : onsemi 55gn01fa.pdf Description: RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3-SSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 4.5GHz ~ 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Active
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55GN01FA-TL-H Hersteller : onsemi 55GN01FA-2309708.pdf RF Bipolar Transistors BIP NPN 70MA 10V FT=5.5
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