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55GN01MA-TL-E

55GN01MA-TL-E onsemi


ena1114-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3-MCP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB @ 1GHz
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 4.5GHz ~ 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 3-MCP
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Technische Details 55GN01MA-TL-E onsemi

Description: ONSEMI - 55GN01MA-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 400 mW, 70 mA, SOT-323, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 70mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 5.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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55GN01MA-TL-E 55GN01MA-TL-E Hersteller : ON Semiconductor ENA1114-D-1804010.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=5.5G
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55GN01MA-TL-E Hersteller : ONSEMI ONSMS36606-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 55GN01MA-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 400 mW, 70 mA, SOT-323
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 186333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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55GN01MA-TL-E 55GN01MA-TL-E Hersteller : onsemi ena1114-d.pdf Description: RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3-MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB @ 1GHz
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 4.5GHz ~ 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 3-MCP
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55GN01MA-TL-E 55GN01MA-TL-E Hersteller : onsemi ena1114-d.pdf Description: RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3-MCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB @ 1GHz
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 4.5GHz ~ 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 3-MCP
Produkt ist nicht verfügbar
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