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Technische Details 5KP170A Littelfuse
Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 5kW; 199V; 18.5A; unidirectional; ±5%; P600; reel,tape, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 5kW, Max. off-state voltage: 170V, Breakdown voltage: 199V, Max. forward impulse current: 18.5A, Semiconductor structure: unidirectional, Tolerance: ±5%, Case: P600, Mounting: THT, Leakage current: 2µA, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated, Anzahl je Verpackung: 800 Stücke.
Weitere Produktangebote 5KP170A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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5KP170A | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: TVS DIODE 170VWM 275VC P600 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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5KP170A | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC P600 |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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5KP170A | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC P600 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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5KP170A | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 5kW; 199V; 18.5A; unidirectional; ±5%; P600; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW Max. off-state voltage: 170V Breakdown voltage: 199V Max. forward impulse current: 18.5A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 2µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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5KP170A | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 5kW; 199V; 18.5A; unidirectional; ±5%; P600; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW Max. off-state voltage: 170V Breakdown voltage: 199V Max. forward impulse current: 18.5A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 2µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated |
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