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Technische Details 6116SA20TPGI Renesas / IDT
Description: IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP, Packaging: Bulk, Package / Case: 24-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 16Kbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 24-PDIP, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 20ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 20 ns, Memory Organization: 2K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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6116SA20TPGI | IDT, Integrated Device Technology Inc |
 Description: IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIPPackaging: Bulk Package / Case: 24-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 24-PDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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6116SA20TPGI | RENESAS |
Description: RENESAS - 6116SA20TPGI - SRAM, 16 Kbit, 2K x 8bit, 4.5V bis 5.5V, DIP, 24 Pin(s), 20 ns Bauform - Speicherbaustein: DIP Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V Speicherkonfiguration SRAM: 2K x 8bit MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 20 Betriebstemperatur, min.: -40 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 24 Speichergröße: 16 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| 6116SA20TPGI |
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Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Description: IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 24-PDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 24-PDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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| 6116SA20TPGI |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - 6116SA20TPGI - SRAM, 16 Kbit, 2K x 8bit, 4.5V bis 5.5V, DIP, 24 Pin(s), 20 ns
Bauform - Speicherbaustein: DIP
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 2K x 8bit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 20
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 24
Speichergröße: 16
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: RENESAS - 6116SA20TPGI - SRAM, 16 Kbit, 2K x 8bit, 4.5V bis 5.5V, DIP, 24 Pin(s), 20 ns
Bauform - Speicherbaustein: DIP
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 2K x 8bit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 20
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 24
Speichergröße: 16
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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