6ED2231S12TXUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details 6ED2231S12TXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 6ED2231S12TXUMA1 - Gate-Treiber, High- und Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, SiC-MOSFET, 24 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423190, Sinkstrom: -650mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 6Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 350mA, Versorgungsspannung, min.: 13V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 700ns, Ausgabeverzögerung: 650ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote 6ED2231S12TXUMA1 nach Preis ab 10.06 EUR bis 15.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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6ED2231S12TXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: LEVEL SHIFT SOIPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 24 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 13V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V Supplier Device Package: PG-DSO-24-21 Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns Channel Type: 3-Phase Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 6 Gate Type: IGBT, SiC MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 350mA, 650mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
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6ED2231S12TXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 6ED2231S12TXUMA1 - Gate-Treiber, High- und Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, SiC-MOSFET, 24 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423190 Sinkstrom: -650mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 6Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 350mA Versorgungsspannung, min.: 13V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 700ns Ausgabeverzögerung: 650ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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6ED2231S12TXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 6ED2231S12TXUMA1 - Gate-Treiber, High- und Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, SiC-MOSFET, 24 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423190 Sinkstrom: -650mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 6Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 350mA Versorgungsspannung, min.: 13V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 700ns Ausgabeverzögerung: 650ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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6ED2231S12TXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: LEVEL SHIFT SOI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 24 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 13V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V Supplier Device Package: PG-DSO-24-21 Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns Channel Type: 3-Phase Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 6 Gate Type: IGBT, SiC MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 350mA, 650mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
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