6HP04CH-TL-W onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 370MA 3CPH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V
Supplier Device Package: 3-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.1 pF @ 20 V
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Technische Details 6HP04CH-TL-W onsemi
Description: ONSEMI - 6HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 370 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 370, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 600, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6, Verlustleistung: 600, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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6HP04CH-TL-W | ON Semiconductor |
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| 6HP04CH-TL-W | ON Semiconductor |
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