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71V416L15BEGI

71V416L15BEGI Renesas / IDT

IDT_71V416_DST_20161119-1711478.pdf
Hersteller: Renesas / IDT
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
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Technische Details 71V416L15BEGI Renesas / IDT

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 15 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9), Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 48-TFBGA, Packaging: Tray.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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71V416L15BEGI 71V416L15BEGI Hersteller : Renesas Electronics Corporation 71v416sl Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 15 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tray
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