71V416S12PHG8 Renesas Electronics
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 14.38 EUR |
| 10+ | 13.24 EUR |
| 25+ | 13.09 EUR |
| 100+ | 12.78 EUR |
| 250+ | 11.81 EUR |
| 500+ | 11.25 EUR |
| 1500+ | 10.86 EUR |
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Technische Details 71V416S12PHG8 Renesas Electronics
Description: RENESAS - 71V416S12PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V, tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote 71V416S12PHG8 nach Preis ab 10.72 EUR bis 14.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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71V416S12PHG8 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
 Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP IIPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 12 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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71V416S12PHG8 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - 71V416S12PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 70°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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71V416S12PHG8 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - 71V416S12PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 70°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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71V416S12PHG8 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 12 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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