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71V424S10PHG

71V424S10PHG Renesas Electronics Corporation

71v424-data-sheet Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+14.91 EUR
10+13.23 EUR
25+12.62 EUR
40+12.32 EUR
135+11.57 EUR
270+11.16 EUR
540+10.76 EUR
945+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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Technische Details 71V424S10PHG Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - 71V424S10PHG - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
71V424S10PHG 71V424S10PHG Hersteller : Renesas Electronics Renesas-Electronics-1996238.pdf SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
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71V424S10PHG 71V424S10PHG Hersteller : RENESAS 71v424-data-sheet Description: RENESAS - 71V424S10PHG - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19 Stücke:
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