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74404042680

74404042680 Würth Elektronik

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Hersteller: Würth Elektronik
Description: FIXED IND 68UH 540MA 840 MOHM
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Technische Details 74404042680 Würth Elektronik

Description: WURTH ELEKTRONIK - 74404042680 - Leistungsinduktivität (SMD), 68 µH, 540 mA, Halbgeschirmt, 630 mA, WE-LQS Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.8mm, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Induktivität: 68µH, Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.84ohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 4mm x 4mm x 1.8mm, isCanonical: Y, RMS-Strom Irms: 540mA, Sättigungsstrom (Isat): 630mA, Produktlänge: 4mm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Produktpalette: WE-LQS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Produktbreite: 4mm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
74404042680 74404042680 Wurth Elektronik 74404042680.pdf Power Inductors - SMD WE-LQS 68uH 540mA DCR=840mOhms AEC-Q200
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74404042680 74404042680 Würth Elektronik 74404042680.pdf Description: FIXED IND 68UH 540MA 840 MOHM
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74404042680 74404042680 WURTH ELEKTRONIK MIDC-S-A0013027726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WURTH ELEKTRONIK - 74404042680 - Leistungsinduktivität (SMD), 68 µH, 540 mA, Halbgeschirmt, 630 mA, WE-LQS Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.8mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 68µH
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.84ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 4mm x 4mm x 1.8mm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 540mA
Sättigungsstrom (Isat): 630mA
Produktlänge: 4mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: WE-LQS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 4mm
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Description: WURTH ELEKTRONIK - 74404042680 - Leistungsinduktivität (SMD), 68 µH, 540 mA, Halbgeschirmt, 630 mA, WE-LQS Series
tariffCode: 85045000
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Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
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Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.84ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 4mm x 4mm x 1.8mm
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RMS-Strom Irms: 540mA
Sättigungsstrom (Isat): 630mA
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Produktpalette: WE-LQS Series
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