80EPS12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 80A TO247AC
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.17 V @ 80 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC
Current - Average Rectified (Io): 80A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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Technische Details 80EPS12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 80A TO247AC, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.17 V @ 80 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-247AC, Current - Average Rectified (Io): 80A, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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80EPS12 | Vishay Semiconductors |
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