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8ETX06S IR

8ETX06%288%2C-1%29.pdf
Hersteller: IR
07+ TO-263
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Technische Details 8ETX06S IR

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB, Part Status: Obsolete, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Current - Average Rectified (Io): 8A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 24 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
8ETX06S 8ETX06S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ETX06%288%2C-1%29.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
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8ETX06S 8ETX06S Vishay Semiconductors 8ETX06%288%2C-1%29.pdf Rectifiers RECOMMENDED ALT VS-8ETX06S-M3
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8ETX06S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
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