APT10M11JVRU3
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Technische Details APT10M11JVRU3
Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 25V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc), Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Supplier Device Package: SOT-227, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 450W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Bulk.
Preis APT10M11JVRU3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Microchip Technology Trans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube 
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APT10M11JVRU3 Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APT10M11JVRU3 Transistor modules MOSFET
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APT10M11JVRU3 Hersteller: Microsemi Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet
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auf Bestellung 67 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 25V Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc) Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Supplier Device Package: SOT-227 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Bulk
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auf Bestellung 3 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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