APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APT10M11JVRU3 Transistor modules MOSFET
APT10M11JVRU3.pdf
verfügbar/auf Bestellung
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen

Technische Details APT10M11JVRU3

Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 25V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc), Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Supplier Device Package: SOT-227, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 450W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Bulk.

Preis APT10M11JVRU3 ab 0 EUR bis 0 EUR

APT10M11JVRU3
APT10M11JVRU3
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube
6594-apt10m11jvru3-rev1-pdf.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
APT10M11JVRU3
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APT10M11JVRU3 Transistor modules MOSFET
APT10M11JVRU3.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
APT10M11JVRU3
Hersteller: Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet
59547
auf Bestellung 67 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
APT10M11JVRU3
APT10M11JVRU3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 71A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Bulk
APT10M11JVRU3.pdf
auf Bestellung 3 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)