APT10M11JVRU3 Microchip Technology
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Technische Details APT10M11JVRU3 Microchip Technology
Category: Transistor modules, Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 106A, Case: ISOTOP, Topology: buck chopper, Electrical mounting: screw, On-state resistance: 11mΩ, Pulsed drain current: 576A, Power dissipation: 450W, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| APT10M11JVRU3 | Microsemi |
 Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet |
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| APT10M11JVRU3 |
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Hersteller: Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet
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