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APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3 Microchip Technology


APT10M11JVRU3_Rev2-1855561.pdf Hersteller: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules CC9519
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Technische Details APT10M11JVRU3 Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W, Mechanical mounting: screw, Gate-source voltage: ±30V, Topology: buck chopper, Pulsed drain current: 576A, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 106A, On-state resistance: 11mΩ, Power dissipation: 450W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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APT10M11JVRU3 Hersteller : Microsemi 59547 Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet
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APT10M11JVRU3 Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) APT10M11JVRU3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Mechanical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Topology: buck chopper
Pulsed drain current: 576A
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 5®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10M11JVRU3 APT10M11JVRU3 Hersteller : Microsemi Corporation APT10M11JVRU3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
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Mechanical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Topology: buck chopper
Pulsed drain current: 576A
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 5®
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