APT20M22JVRU3
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Technische Details APT20M22JVRU3
Description: MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500pF @ 25V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 48.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Supplier Device Package: SOT-227, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 450W (Tc).
Preis APT20M22JVRU3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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APT20M22JVRU3 Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APT20M22JVRU3 Transistor modules MOSFET 
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APT20M22JVRU3 Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APT20M22JVRU3 Transistor modules MOSFET
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 Hersteller: Microchip / Microsemi MOSFET CC0012
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auf Bestellung 26 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500pF @ 25V Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 48.5A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Supplier Device Package: SOT-227 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
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