APT20M22JVRU3

APT20M22JVRU3

APT20M22JVRU3

Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 200V 97A 4-Pin SOT-227 Tube
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Technische Details APT20M22JVRU3

Description: MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500pF @ 25V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 48.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Supplier Device Package: SOT-227, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 450W (Tc).

Preis APT20M22JVRU3 ab 0 EUR bis 0 EUR

APT20M22JVRU3
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APT20M22JVRU3 Transistor modules MOSFET
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APT20M22JVRU3 Transistor modules MOSFET
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APT20M22JVRU3
APT20M22JVRU3
Hersteller: Microchip / Microsemi
MOSFET CC0012
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APT20M22JVRU3
APT20M22JVRU3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 48.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
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