APT20M22LVRG Microchip Technology
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Technische Details APT20M22LVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A, Mounting: THT, Case: TO264, Technology: POWER MOS 5®, Gate charge: 435nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 400A, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 100A, On-state resistance: 22mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 520W, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT20M22LVRG
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT20M22LVRG | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
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APT20M22LVRG | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
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APT20M22LVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A Mounting: THT Case: TO264 Technology: POWER MOS 5® Gate charge: 435nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20M22LVRG | Hersteller : MICROSEMI |
TO-264 [L] Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20M22LVRG | Hersteller : Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 |
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APT20M22LVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A Mounting: THT Case: TO264 Technology: POWER MOS 5® Gate charge: 435nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar |
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