APT29F100B2
APT29F100B2
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
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Technische Details APT29F100B2
Description: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3 Variant, Packaging: Tube, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V.
Preis APT29F100B2 ab 47.79 EUR bis 47.79 EUR
 Hersteller: Microchip Technology Trans MOSFET N-CH Si 1KV 30A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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APT29F100B2 Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APT29F100B2 THT N channel transistors
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APT29F100B2 Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APT29F100B2 THT N channel transistors
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APT29F100B2 Hersteller: Microsemi MOSFET Power FREDFET - MOS8
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 Hersteller: Microchip / Microsemi MOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247 T-MAX, RoHS
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