APT2X51DC120J

APT2X51DC120J

Hersteller: MICROSEMI
ISOTOP 4/50 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE APT2X51
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Technische Details APT2X51DC120J

Description: DIODE MODULE 1.2KV 50A SOT227, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Diode Configuration: 2 Independent, Diode Type: Silicon Carbide Schottky, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0ns, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 1200V, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Supplier Device Package: SOT-227.

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APT2X51DC120J
Hersteller: Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
APT2X51_50DC120J-Rev1-1291295.pdf
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APT2X51DC120J
APT2X51DC120J
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 1.2KV 50A SOT227
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Configuration: 2 Independent
Diode Type: Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1mA @ 1200V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package: SOT-227
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