Weitere Produktangebote APT35GA90BD15
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT35GA90BD15 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT35GA90BD15 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT35GA90BD15 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 8®; PT Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 35A Power dissipation: 290W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Turn-on time: 25ns Turn-off time: 298ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT35GA90BD15 | Hersteller : MICROSEMI |
TO247/High Speed PT IGBT APT35 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT35GA90BD15 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT PT 900V 63A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off) Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 290 W |
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| APT35GA90BD15 | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Transistors IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 35 A TO-247 |
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APT35GA90BD15 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 8®; PT Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 35A Power dissipation: 290W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Turn-on time: 25ns Turn-off time: 298ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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| MT5016A (AptSemi) 3-phasen Diodenbrücke 1,6кВ/50А Produktcode: 56003 |
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: 28,5х28,5х9,7mm
Urew: 1600V
I dir: 50A
Zus.Info: Dreiphasen-Brücke
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 500 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: 28,5х28,5х9,7mm
Urew: 1600V
I dir: 50A
Zus.Info: Dreiphasen-Brücke
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 500 A
verfügbar: 28 Stück
erwartet:
500 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 6.35 EUR |
| 10+ | 6 EUR |
| 100+ | 4.68 EUR |
| NE555P IC Timer Produktcode: 26138 |
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Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2729 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.24 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| MCP6022-I/SN Produktcode: 25959 |
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Hersteller: Microchip
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: 2,5,...5,5 V
BW, MHz: 10 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 0,5 mV
Geschw. Nar., V/mks: 7 V/µs
Temperaturbereich: -40…+85°C
Bemerkungen: Rail-to-Rail
ZCODE: 2
Монтаж: SMD
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: 2,5,...5,5 V
BW, MHz: 10 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 0,5 mV
Geschw. Nar., V/mks: 7 V/µs
Temperaturbereich: -40…+85°C
Bemerkungen: Rail-to-Rail
ZCODE: 2
Монтаж: SMD
auf Bestellung 93 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 400 Stück:
400 Stück - erwartet| BZV55-C18 Produktcode: 3419 |
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Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
№ 6: 8541100090
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
№ 6: 8541100090
verfügbar: 600 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.023 EUR |
| AD620AR Produktcode: 3105 |
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Hersteller: AD
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: ±2,3...±18V
BW, MHz: 1
Temperaturbereich: -40…+85°C
Bemerkungen: instrumental Operationsverstärker
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: ±2,3...±18V
BW, MHz: 1
Temperaturbereich: -40…+85°C
Bemerkungen: instrumental Operationsverstärker
auf Bestellung 14 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 4.52 EUR |