APT35GA90BD15
Produktcode: 111866
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| APT35GA90BD15 | Microchip |
IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| APT35GA90BD15 | MICROSEMI |
TO247/High Speed PT IGBT APT35 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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 |
APT35GA90BD15 | Microchip Technology |
Description: IGBT PT 900V 63A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off) Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 290 W |
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Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT35GA90BD15 | Microchip Technology |
IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 35 A TO-247 |
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| APT35GA90BD15 |
|
Hersteller: Microchip
IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] Транзистори
IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] Транзистори
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| APT35GA90BD15 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT PT 900V 63A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns
Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off)
Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 290 W
Description: IGBT PT 900V 63A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns
Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off)
Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 290 W
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| APT35GA90BD15 |
|
Hersteller: Microchip Technology
IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 35 A TO-247
IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 35 A TO-247
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