APT35GA90BD15

APT35GA90BD15


High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Produktcode: 111866
Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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APT35GA90BD15 APT35GA90BD15 Hersteller : Microchip Technology apt35ga90b_sd15_e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT35GA90BD15 APT35GA90BD15 Hersteller : Microchip Technology apt35ga90b_sd15_e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT35GA90BD15 APT35GA90BD15 Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 290W
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 84nC
Technology: POWER MOS 8®; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT35GA90BD15 Hersteller : MICROSEMI High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf TO247/High Speed PT IGBT APT35
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT35GA90BD15 APT35GA90BD15 Hersteller : Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: IGBT PT 900V 63A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns
Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off)
Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 290 W
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APT35GA90BD15 Hersteller : Microchip Technology APT15GP90BDQ1_G__A-3444992.pdf IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 35 A TO-247
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APT35GA90BD15 APT35GA90BD15 Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 290W
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 84nC
Technology: POWER MOS 8®; PT
Collector-emitter voltage: 900V
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MT5016A (AptSemi) 3-phasen Diodenbrücke 1,6кВ/50А
Produktcode: 56003
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description mt50aeywtgfiue.pdf
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: 28,5х28,5х9,7mm
Urew: 1600V
I dir: 50A
Zus.Info: Dreiphasen-Brücke
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 500 A
verfügbar: 38 Stück
5 Stück - stock Köln
33 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+6.35 EUR
10+6.00 EUR
100+4.68 EUR
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NE555P IC Timer
Produktcode: 26138
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description
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2247 Stück
429 Stück - stock Köln
1818 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.50 EUR
10+0.24 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
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MCP6022-I/SN
Produktcode: 25959
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mcp6022-isn.pdf
MCP6022-I/SN
Hersteller: Microchip
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: 2,5,...5,5 V
BW, MHz: 10 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 0,5 mV
Geschw. Nar., V/mks: 7 V/µs
Temperaturbereich: -40…+85°C
Bemerkungen: Rail-to-Rail
ZCODE: 2
Монтаж: SMD
auf Bestellung 187 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BZV55-C18
Produktcode: 3419
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BZV55.pdf
BZV55-C18
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 5 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.02 EUR
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AD620AR
Produktcode: 3105
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ad620-246168-datasheet.pdf
AD620AR
Hersteller: AD
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: ±2,3...±18V
BW, MHz: 1
Temperaturbereich: -40…+85°C
Bemerkungen: instrumental Operationsverstärker
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.52 EUR
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