APTDC40H1201G Microchip Technology
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Technische Details APTDC40H1201G Microchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 40A SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide Schottky, Supplier Device Package: SP1, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV, Current - Average Rectified (Io): 40 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1200 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APTDC40H1201G | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 40A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide Schottky Supplier Device Package: SP1 Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV Current - Average Rectified (Io): 40 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1200 V |
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| APTDC40H1201G | Hersteller : Microchip / Microsemi |
 Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC |
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