APTDC40H1201G

APTDC40H1201G

Hersteller: Microchip / Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
APTDC40H1201G-Rev1-1593763.pdf
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Technische Details APTDC40H1201G

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 40A SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Current - Reverse Leakage @ Vr: 800µA @ 1200V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 40A, Current - Average Rectified (Io): 40A, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2kV, Technology: Silicon Carbide Schottky, Diode Type: Single Phase, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Supplier Device Package: SP1, Package / Case: SP1.

Preis APTDC40H1201G ab 0 EUR bis 0 EUR

APTDC40H1201G
APTDC40H1201G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 40A SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800µA @ 1200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 40A
Current - Average Rectified (Io): 40A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2kV
Technology: Silicon Carbide Schottky
Diode Type: Single Phase
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SP1
Package / Case: SP1
7411-aptdc40h1201g-datasheet
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