APTDF200H170G

APTDF200H170G

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APTDF200H170G Sing. ph. diode bridge rectif. - others
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Technische Details APTDF200H170G

Description: BRIDGE RECT 1P 1.7KV 240A SP6, Base Part Number: APTDF200, Supplier Device Package: SP6, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Current - Reverse Leakage @ Vr: 350µA @ 1700V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3V @ 200A, Current - Average Rectified (Io): 240A, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7kV, Technology: Standard, Diode Type: Single Phase, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Manufacturer: Microsemi Corporation.

Preis APTDF200H170G ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APTDF200H170G Sing. ph. diode bridge rectif. - others
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APTDF200H170G
Hersteller: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode
APTDF200H170G_Rev2-1593746.pdf
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APTDF200H170G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 1.7KV 240A SP6
Base Part Number: APTDF200
Supplier Device Package: SP6
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350µA @ 1700V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3V @ 200A
Current - Average Rectified (Io): 240A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7kV
Technology: Standard
Diode Type: Single Phase
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: Microsemi Corporation
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