APTDF200H170G
APTDF200H170G
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)Material: APTDF200H170G Sing. ph. diode bridge rectif. - others
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Technische Details APTDF200H170G
Description: BRIDGE RECT 1P 1.7KV 240A SP6, Base Part Number: APTDF200, Supplier Device Package: SP6, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Current - Reverse Leakage @ Vr: 350µA @ 1700V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3V @ 200A, Current - Average Rectified (Io): 240A, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7kV, Technology: Standard, Diode Type: Single Phase, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Manufacturer: Microsemi Corporation.
Preis APTDF200H170G ab 0 EUR bis 0 EUR
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APTDF200H170G Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APTDF200H170G Sing. ph. diode bridge rectif. - others
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APTDF200H170G Hersteller: Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode
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APTDF200H170G Hersteller: Microsemi Corporation Description: BRIDGE RECT 1P 1.7KV 240A SP6 Base Part Number: APTDF200 Supplier Device Package: SP6 Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Reverse Leakage @ Vr: 350µA @ 1700V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3V @ 200A Current - Average Rectified (Io): 240A Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7kV Technology: Standard Diode Type: Single Phase Part Status: Active Packaging: Bulk Manufacturer: Microsemi Corporation
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