APTM100A18FTG

APTM100A18FTG

APTM100A18FTG

Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 1KV 43A 20-Pin Case SP-4 Tube
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Technische Details APTM100A18FTG

Description: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4, Power - Max: 780W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400pF @ 25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A, FET Feature: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV), FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge), Packaging: Bulk, Part Status: Active, Supplier Device Package: SP4, Package / Case: SP4, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ).

Preis APTM100A18FTG ab 0 EUR bis 0 EUR

APTM100A18FTG
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APTM100A18FTG Transistor modules MOSFET
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APTM100A18FTG Transistor modules MOSFET
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APTM100A18FTG
Hersteller: Microchip / Microsemi
Discrete Semiconductor Modules CC4082
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APTM100A18FTG
APTM100A18FTG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Power - Max: 780W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A
FET Feature: Standard
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: SP4
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
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