APTM100A18FTG
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Technische Details APTM100A18FTG
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4, Power - Max: 780W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400pF @ 25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A, FET Feature: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV), FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge), Packaging: Bulk, Part Status: Active, Supplier Device Package: SP4, Package / Case: SP4, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ).
Preis APTM100A18FTG ab 0 EUR bis 0 EUR
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APTM100A18FTG Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APTM100A18FTG Transistor modules MOSFET 
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APTM100A18FTG Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APTM100A18FTG Transistor modules MOSFET
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APTM100A18FTG Hersteller: Microchip / Microsemi Discrete Semiconductor Modules CC4082
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 Hersteller: Microsemi Corporation Description: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 Power - Max: 780W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A FET Feature: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge) Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: SP4 Package / Case: SP4 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
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