APTM100H18FG

APTM100H18FG

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APTM100H18FG Transistor modules MOSFET
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Technische Details APTM100H18FG

Description: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400pF @ 25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV), FET Feature: Standard, FET Type: 4 N-Channel (H-Bridge), Part Status: Active, Packaging: Bulk, Supplier Device Package: SP6, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 780W.

Preis APTM100H18FG ab 0 EUR bis 0 EUR

APTM100H18FG
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APTM100H18FG Transistor modules MOSFET
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APTM100H18FG
Hersteller: Microchip / Microsemi
Discrete Semiconductor Modules CC6154
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APTM100H18FG
Hersteller: Microsemi
Trans MOSFET N-CH 1KV 43A 12-Pin Case SP-6 Tube
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APTM100H18FG
APTM100H18FG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)
FET Feature: Standard
FET Type: 4 N-Channel (H-Bridge)
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SP6
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 780W
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