APTM10HM05FG
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Technische Details APTM10HM05FG
Description: MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, FET Feature: Standard, FET Type: 4 N-Channel (H-Bridge), Part Status: Active, Packaging: Bulk, Supplier Device Package: SP6, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 780W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V.
Preis APTM10HM05FG ab 0 EUR bis 0 EUR
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APTM10HM05FG Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APTM10HM05FG Transistor modules MOSFET 
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APTM10HM05FG Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APTM10HM05FG Transistor modules MOSFET
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APTM10HM05FG Hersteller: Microchip / Microsemi Discrete Semiconductor Modules CC6077
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APTM10HM05FG Hersteller: Microsemi Trans MOSFET N-CH 100V 278A 12-Pin Case SP-6 Tube
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 Hersteller: Microsemi Corporation Description: MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A Drain to Source Voltage (Vdss): 100V FET Feature: Standard FET Type: 4 N-Channel (H-Bridge) Part Status: Active Packaging: Bulk Supplier Device Package: SP6 Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 780W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V
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