APTM20UM03FAG

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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APTM20UM03FAG Transistor modules MOSFET
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Technische Details APTM20UM03FAG

Description: MOSFET N-CH 200V 580A SP6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43300pF @ 25V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 840nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 290A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Part Status: Active, Packaging: Bulk, Power Dissipation (Max): 2270W (Tc), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Supplier Device Package: SP6, Package / Case: SP6.

Preis APTM20UM03FAG ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APTM20UM03FAG Transistor modules MOSFET
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APTM20UM03FAG
Hersteller: MICROSEMI
SP6/580 A, 200 V, 0.0036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM20
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APTM20UM03FAG
Hersteller: Microchip / Microsemi
Discrete Semiconductor Modules CC6049
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APTM20UM03FAG
APTM20UM03FAG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 580A SP6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43300pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 840nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 15mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 290A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Power Dissipation (Max): 2270W (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Supplier Device Package: SP6
Package / Case: SP6
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