APTM60H23FT1G
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Technische Details APTM60H23FT1G
Description: MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 208W, FET Type: 4 N-Channel (H-Bridge), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5316pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: SP1, Part Status: Active.
Preis APTM60H23FT1G ab 0 EUR bis 0 EUR
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APTM60H23FT1G Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APTM60H23FT1G Transistor modules MOSFET 
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APTM60H23FT1G Hersteller: Microchip / Microsemi Discrete Semiconductor Modules CC8076
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APTM60H23FT1G Hersteller: Microsemi Corporation Description: MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 208W FET Type: 4 N-Channel (H-Bridge) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5316pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: SP1 Part Status: Active
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