APTM60H23FT1G

APTM60H23FT1G

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APTM60H23FT1G Transistor modules MOSFET
APTM60H23UT1G-Rev0.pdf
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen

Technische Details APTM60H23FT1G

Description: MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 208W, FET Type: 4 N-Channel (H-Bridge), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5316pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: SP1, Part Status: Active.

Preis APTM60H23FT1G ab 0 EUR bis 0 EUR

APTM60H23FT1G
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APTM60H23FT1G Transistor modules MOSFET
APTM60H23UT1G-Rev0.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
APTM60H23FT1G
Hersteller: Microchip / Microsemi
Discrete Semiconductor Modules CC8076
APTM60H23UT1G-Rev0.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
APTM60H23FT1G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 208W
FET Type: 4 N-Channel (H-Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5316pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: SP1
Part Status: Active
APTM60H23UT1G-Rev0.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen