APTM60H23FT1G Microchip Technology
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Technische Details APTM60H23FT1G Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 600V; 15A; SP1; Press-in PCB; 208W, Technology: FREDFET; POWER MOS 8®, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 15A, Power dissipation: 208W, Case: SP1, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.23Ω, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: H-bridge; NTC thermistor, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Pulsed drain current: 125A.
Weitere Produktangebote APTM60H23FT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM60H23FT1G | Hersteller : Microsemi Corporation |
 Description: MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 |
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| APTM60H23FT1G | Hersteller : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules CC8076 |
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| APTM60H23FT1G | Hersteller : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules CC8076 |
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| APTM60H23FT1G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 600V; 15A; SP1; Press-in PCB; 208W Technology: FREDFET; POWER MOS 8® Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Power dissipation: 208W Case: SP1 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: H-bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Pulsed drain current: 125A |
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