BC849-B

BC849B

BC849B

Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: BJT SOT-23 30V 100MA
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Technische Details BC849B

Description: BJT SOT-23 30V 100MA, Power - Max: 250 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Frequency - Transition: 300MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Preis BC849B ab 0.011 EUR bis 0.088 EUR

BC849B
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: BC849B-DIO NPN SMD transistors
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6306+ 0.011 EUR
BC849B
BC849B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: BJT SOT-23 30V 100MA
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BC849B
BC849B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC849B
BC849B
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849B - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 300
DC Current Gain hFE: 200
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 100
Transistor Case Style: SOT-23
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BC849-B
Hersteller: FSC

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BC849B
BC849B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC849B
BC849B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC849B
Hersteller:
BC849B NPN Hfe 200-450 SOT23 100MHz 100mA 30V 250mW
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BC849B
Hersteller:
BC849B NPN Hfe 200-450 SOT23 100MHz 100mA 30V 250mW
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BC849B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC849B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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