BC849B Diotec Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BC849B Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BC849B nach Preis ab 0.013 EUR bis 0.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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BC849B | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 600000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849B | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz |
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BC849B | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 9325 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC849B | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 7904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849B | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A |
auf Bestellung 7904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849B | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BC849B | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN |
auf Bestellung 957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849B | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
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BC849B | Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 30V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN SPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 2991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849B | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849B | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849B | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849B | Hersteller : KEXIN |
Transistor NPN; Bipolar; 30V; 250mW; 5V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C; Substitute: BC849B-YAN; BC849B SOT23 TBC849B cAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC849B | Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
BJT SOT23 30V NPN 0.25W 150C |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849-B | Hersteller : FSC |
auf Bestellung 2221 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BC849B | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC849B | Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 30V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN SPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC849B | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC849B | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
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| BC849B | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC849B | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC849B | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |






