BC849B (Bipolartransistor NPN) (Infineon) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BC849B (Bipolartransistor NPN)

BC849B (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 3064
Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 30
Ic,A: 0,1
h21: 450

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Technische Details BC849B (Bipolartransistor NPN)

  • TRANSISTOR, NPN SOT-23
  • Transistor Type:Small Signal General Purpose
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:30V
  • Max Current Ic Continuous a:100mA
  • Power Dissipation:300mW
  • Min Hfe:200
  • Typ Gain Bandwidth ft:100MHz
  • Case Style:SOT-23
  • Termination Type:SMD
  • Operating Temperature Range:-65jC to +150jC
  • Current Ic hFE:2mA
  • Device Marking:BC849B
  • Max Current Ic:100mA
  • Max Noise Factor:4dB
  • Max Power Dissipation Ptot:300mW
  • Min Gain Bandwidth ft:100MHz
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • SMD Marking:2B
  • Voltage Vcbo:30V

Preis BC849B (Bipolartransistor NPN) ab 0.011 EUR bis 0.09 EUR

BC849B
BC849B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: BJT SOT-23 30V 100MA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Power - Max: 250mW
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Diotec Semiconductor
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
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BC849B
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: BC849B-DIO NPN SMD transistors
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BC849B
BC849B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: BIPOLARTRANSISTOR,SOT-23,30V,100
Manufacturer: DComponents
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 300MHz
Power - Max: 250mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Strip
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BC849B
BC849B
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849B - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 300
DC Current Gain hFE: 200
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 100
Transistor Case Style: SOT-23
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BC849B
BC849B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC849-B
Hersteller: FSC

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BC849B
BC849B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC849B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller:
BC849B NPN Hfe 200-450 SOT23 100MHz 100mA 30V 250mW
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Hersteller:
BC849B NPN Hfe 200-450 SOT23 100MHz 100mA 30V 250mW
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC849B
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 25
Ic,A: 0,5
h21: 400
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