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BC859C

BC859C Infineon

BC859,BC860.pdf
Produktcode: 3051
Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 30
U, V: 30
I, А: 0.1
h21,max: 900
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar 1038 Stück:
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor AG bc856.pdf Description: BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 465000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BC859-C BC859-C Hersteller : Infineon Technologies INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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15000+0.048 EUR
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf bc856.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
auf Bestellung 11599 Stücke:
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 465000 Stücke:
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750+0.69 EUR
1500+ 0.26 EUR
3000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 750
BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859C Hersteller : NXP bc856.pdf bc856.pdf Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
auf Bestellung 65 Stücke:
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859C BC859C Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc856.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 520
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
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BC859C BC859C Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc856.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 520
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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Produktcode: 2031		 BC849C.pdf
BC849C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 30
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
auf Bestellung 807 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.03 EUR
10+ 0.024 EUR
100+ 0.018 EUR
BC857CW
Produktcode: 12269		 bc856w.pdf
BC857CW
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-323
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 800
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 18670 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.026 EUR
100+ 0.018 EUR
1000+ 0.013 EUR
BC858BLT1
Produktcode: 1812		 BC857,BC858.pdf
BC858BLT1
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 150 MHz
U, V: 30
U, V: 30
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 2976 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 0.034 EUR
100+ 0.022 EUR
15pF 100V NP0 K(+/-10%) D<=5mm (TCH2A150K-L515B)
Produktcode: 1217		 classi_tsl-datasheet.pdf
15pF 100V NP0 K(+/-10%) D<=5mm (TCH2A150K-L515B)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische scheibenförmig und axial
Kapazität: 15pF
Nennspannung: 100V
TKE: NP0
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=5mm
Part Nummer: TCH2A150K-L515B
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13pF 100V NP0 K(+/-10%) D<=5mm (TCH2A130K-L515B)
Produktcode: 1207		 classi_tsl-datasheet.pdf
13pF 100V NP0 K(+/-10%) D<=5mm (TCH2A130K-L515B)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische scheibenförmig und axial
Kapazität: 13pF
Nennspannung: 100V
TKE: NP0
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=5mm
Part Nummer: TCH2A130K-L515B
verfügbar: 600 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.022 EUR
100+ 0.0057 EUR
Mindestbestellmenge: 10