BC859-C Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
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| Anzahl | Preis |
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| 13172+ | 0.034 EUR |
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Technische Details BC859-C Infineon Technologies
Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BC859-C nach Preis ab 0.033 EUR bis 0.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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BC859C | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC859C | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC859C | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC859C | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC859C | Hersteller : SHIKUES |
Transistor PNP; 800; 310mW; 30V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC859C,215; BC859C,235; BC859CLT1G; BC859CE6327HTSA1; BC859C SHIKUES TBC859c SHK Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC859-C | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 26800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC859-C | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859-C - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 26800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC859C | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC859C | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC859C | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
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BC859C | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP |
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BC859C | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 520 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
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