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BC859C

BC859C Infineon

BC859,BC860.pdf
Produktcode: 3051
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 30 V
Spannung Ucb, V: 30 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 900
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 334 St.
  • 250 St. - stock Köln
  • 84 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.071 EUR
10+0.031 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.02 EUR
10000+0.018 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC859C BC859C SHIKUES TBC859c_SHK_SHIKUES_0001.pdf Transistor PNP; 800; 310mW; 30V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC859C,215; BC859C,235; BC859CLT1G; BC859CE6327HTSA1; BC859C SHIKUES TBC859c SHK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859-C BC859-C Infineon Technologies INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13172+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C DIOTEC SEMICONDUCTOR bc856.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 520
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 4007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.21 EUR
164+0.13 EUR
269+0.079 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C TBC859c_SHK_SHIKUES_0001.pdf
BC859C
Hersteller: SHIKUES
Transistor PNP; 800; 310mW; 30V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC859C,215; BC859C,235; BC859CLT1G; BC859CE6327HTSA1; BC859C SHIKUES TBC859c SHK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C bc856.pdf
BC859C
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC859-C INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC859-C
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13172+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C bc856.pdf
BC859C
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 520
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C bc856.pdf
BC859C
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 4007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.21 EUR
164+0.13 EUR
269+0.079 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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8,2 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-8M2-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 11321
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rc_series_20150401_1.pdf
8,2 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-8M2-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 8,2 MOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 41162 St.
  • 5000 St. - stock Köln
  • 36162 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.005 EUR
100+0.0043 EUR
1000+0.0033 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-3MR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 11318
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rc_series_20150401_1.pdf
3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-3MR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 3 MOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 11200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
  • 10000 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.0033 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849B (SOT-23, Diotec) NPN-Bipolartransistor
Produktcode: 3064
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bc846-datasheet.pdf
BC849B (SOT-23, Diotec) NPN-Bipolartransistor
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 450
Montage: SMD
verfügbar: 2062 St.
  • 250 St. - stock Köln
  • 1812 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.036 EUR
10+0.031 EUR
100+0.023 EUR
1000+0.021 EUR
10000+0.018 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6,2 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-6M2-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 2148
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rc_series_20150401_1.pdf
6,2 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-6M2-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 6,2 MOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung 40745 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.005 EUR
100+0.0043 EUR
1000+0.0033 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849C (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 2031
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BC849C.pdf
BC849C (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 450
Montage: SMD
auf Bestellung 238 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.036 EUR
10+0.029 EUR
100+0.021 EUR
1000+0.02 EUR
10000+0.015 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH