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BC859C

BC859C Infineon

BC859,BC860.pdf
Produktcode: 3051
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 30 V
Spannung Ucb, V: 30 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 900
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 250 St.
  • 250 St. - stock Köln
auf Bestellung: 84 St.
  • 84 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+0.079 EUR
21+0.058 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.036 EUR
10000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 16 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC859C BC859C SHIKUES TBC859c_SHK_SHIKUES_0001.pdf Transistor PNP; 800; 310mW; 30V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC859C,215; BC859C,235; BC859CLT1G; BC859CE6327HTSA1; BC859C SHIKUES TBC859c SHK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3677+0.048 EUR
4406+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3677 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859-C BC859-C Infineon Technologies INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8955+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 8955 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C Diotec Semiconductor bc856.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
auf Bestellung 7548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.18 EUR
28+0.12 EUR
100+0.08 EUR
500+0.058 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.033 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 3082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.21 EUR
164+0.13 EUR
269+0.077 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C DIOTEC SEMICONDUCTOR bc856.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1151+0.21 EUR
1920+0.12 EUR
2618+0.082 EUR
3598+0.06 EUR
4116+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 1151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C DIOTEC SEMICONDUCTOR bc856.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1151+0.21 EUR
1920+0.12 EUR
2618+0.082 EUR
3598+0.06 EUR
4116+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 1151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C DIOTEC SEMICONDUCTOR bc856.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 520
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 5355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859-C Infineon Technologies INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15152+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 15152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859-C ROCHESTER ELECTRONICS INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859-C - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12659+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 12659 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C TBC859c_SHK_SHIKUES_0001.pdf
BC859C
Hersteller: SHIKUES
Transistor PNP; 800; 310mW; 30V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC859C,215; BC859C,235; BC859CLT1G; BC859CE6327HTSA1; BC859C SHIKUES TBC859c SHK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C bc856.pdf
BC859C
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C bc856.pdf
BC859C
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3677+0.048 EUR
4406+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3677 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859-C INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC859-C
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8955+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 8955 Stücke
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BC859C bc856.pdf
BC859C
Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
auf Bestellung 7548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+0.18 EUR
28+0.12 EUR
100+0.08 EUR
500+0.058 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.033 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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BC859C bc856.pdf
BC859C
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 3082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.21 EUR
164+0.13 EUR
269+0.077 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BC859C bc856.pdf
BC859C
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1151+0.21 EUR
1920+0.12 EUR
2618+0.082 EUR
3598+0.06 EUR
4116+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 1151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C bc856.pdf
BC859C
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1151+0.21 EUR
1920+0.12 EUR
2618+0.082 EUR
3598+0.06 EUR
4116+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 1151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C bc856.pdf
BC859C
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 520
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 5355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859-C INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15152+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 15152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859-C INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859-C - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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12659+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 12659 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

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8,2 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-8M2-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 11321
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rc_series_20150401_1.pdf
8,2 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-8M2-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 8,2 MOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 5000 St.
  • 5000 St. - stock Köln
auf Bestellung: 36162 St.
  • 36162 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+0.0098 EUR
240+0.005 EUR
Mindestbestellmenge: 130 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-3MR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 11318
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rc_series_20150401_1.pdf
3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-3MR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 3 MOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 5000 St.
  • 5000 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849B (SOT-23, Diotec) NPN-Bipolartransistor
Produktcode: 3064
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
bc846-datasheet.pdf
BC849B (SOT-23, Diotec) NPN-Bipolartransistor
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 450
Montage: SMD
verfügbar: 250 St.
  • 250 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1691 St.
  • 1691 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+0.079 EUR
24+0.051 EUR
100+0.039 EUR
1000+0.031 EUR
10000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 16 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6,2 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-6M2-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 2148
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
rc_series_20150401_1.pdf
6,2 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-6M2-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 6,2 MOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung: 40745 St.
  • 40745 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+0.0098 EUR
240+0.005 EUR
Mindestbestellmenge: 130 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849C (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 2031
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BC849C.pdf
BC849C (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 450
Montage: SMD
auf Bestellung: 207 St.
  • 207 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+0.058 EUR
26+0.046 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.03 EUR
10000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 21 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH