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BC859C

BC859C Infineon

BC859,BC860.pdf
Produktcode: 3051
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 30
U, V: 30
I, А: 0.1
h21,max: 900
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar 334 St.:
250 St. - stock Köln
84 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.026 EUR
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1000+0.017 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC859C BC859C Hersteller : SHIKUES TBC859c_SHK_SHIKUES_0001.pdf Transistor PNP; 800; 310mW; 30V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC859C,215; BC859C,235; BC859CLT1G; BC859CE6327HTSA1; BC859C SHIKUES TBC859c SHK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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BC859-C BC859-C Hersteller : Infineon Technologies INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13172+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 13172
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc856.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 520
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
465+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 465
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.18 EUR
167+0.11 EUR
271+0.065 EUR
500+0.047 EUR
1000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C Hersteller : DIOTEC bc856.pdf Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C Hersteller : DIOTEC bc856.pdf Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859-C Hersteller : Infineon Technologies INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15152+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859-C Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859-C - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
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8,2 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-8M2R) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 11321
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rc_series_20150401_1.pdf
8,2 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-8M2R) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 8,2 MOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 41162 St.
5000 St. - stock Köln
36162 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.0042 EUR
100+0.0036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 11318
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rc_series_20150401_1.pdf
3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 3 MOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 11200 St.
1200 St. - stock Köln
10000 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 3064
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
bc846-datasheet.pdf
BC849B (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 30
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
verfügbar: 2067 St.
250 St. - stock Köln
1817 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
10+0.026 EUR
100+0.019 EUR
1000+0.018 EUR
10000+0.015 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6,2 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-6M2R) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2148
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rc_series_20150401_1.pdf
6,2 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-6M2R) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 6,2 MOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 40745 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.0042 EUR
100+0.0036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2031
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BC849C.pdf
BC849C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 30
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
auf Bestellung 238 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
10+0.024 EUR
100+0.018 EUR
1000+0.017 EUR
10000+0.013 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH