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BC859C

BC859C Infineon

BC859,BC860.pdf
Produktcode: 3051
Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 30
U, V: 30
I, А: 0.1
h21,max: 900
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar 928 Stück:
250 Stück - stock Köln
678 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7838 Stücke:
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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5026+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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5051+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5051
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC859-C BC859-C Hersteller : Infineon Technologies INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 26800 Stücke:
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13172+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13172
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BC859C BC859C Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6AA65C67652C0CE&compId=bc856.pdf?ci_sign=903390d537841e24a5307791d47d44b3385e77af Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 520
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5803 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
730+0.10 EUR
1786+0.04 EUR
2393+0.03 EUR
3185+0.02 EUR
5748+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 730
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BC859C BC859C Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6AA65C67652C0CE&compId=bc856.pdf?ci_sign=903390d537841e24a5307791d47d44b3385e77af Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 520
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
auf Bestellung 5803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
730+0.10 EUR
1786+0.04 EUR
2393+0.03 EUR
3185+0.02 EUR
5748+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 730
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
auf Bestellung 9431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+0.17 EUR
33+0.09 EUR
100+0.06 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.04 EUR
3000+0.03 EUR
24000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.18 EUR
167+0.11 EUR
273+0.07 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859-C Hersteller : Infineon Technologies INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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16130+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16130
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BC859C Hersteller : NXP bc856.pdf Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
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BC859-C Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859-C - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BC859C BC859C Hersteller : Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
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BC849C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2031
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BC849C.pdf
BC849C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 30
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
auf Bestellung 532 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
10+0.02 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.02 EUR
10000+0.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB132
Produktcode: 260
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BB132.pdf
BB132
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-323
Urev.,V: 28
Beschreibung: Varicap Cd=2,3-2,75pF V=28B n=24-30 r=2Oм>BB131(5);BB141(2,3) aus der Produktion
Монтаж: SMD
auf Bestellung 1155 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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100+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
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2SC3356 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 27278
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2SC3356.pdf
2SC3356 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 7 GHz
Uceo,V: 12
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,1
h21: 300
ZCODE: SMD
verfügbar: 2197 Stück
120 Stück - stock Köln
2077 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.11 EUR
100+0.10 EUR
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BB135
Produktcode: 12412
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BB135.pdf
BB135
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-323
Urev.,V: 30
Iausricht.,А: 01.02.2000
Beschreibung: Varicap 1,7…17pF
Монтаж: SMD
verfügbar: 315 Stück
100 Stück - stock Köln
215 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.11 EUR
100+0.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857CW
Produktcode: 12269
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bc856w.pdf
BC857CW
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-323
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 800
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 18606 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH