BFG35,115
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Technische Details BFG35,115
Description: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V, Frequency - Transition: 4GHz, Supplier Device Package: SC-73, Part Status: Obsolete.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| BFG35,115 |
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BFG35,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 18V 0.15A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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BFG35,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 4GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Obsolete |
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BFG35,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 4GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Obsolete |
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BFG35,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN 10V 150mA 4GHZ |
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| BFG35,115 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
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