BFG35,115

Description: NXP - BFG35,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, SOT-223, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70, DC-Stromverstärkung hFE: 70, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150, Verlustleistung Pd: 1, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: SOT-223, Bauform - HF-Transistor: SOT-223, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 18, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 18, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 150, Übergangsfrequenz: 4, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).