BLT81,115 NXP Semiconductors
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Technische Details BLT81,115 NXP Semiconductors
Description: RF TRANS NPN 9.5V 900MHZ SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Gain: 8dB, Power - Max: 2W, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V, Frequency - Transition: 900MHz, Supplier Device Package: SC-73, Part Status: Obsolete.
Weitere Produktangebote BLT81,115
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BLT81,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
 Description: RF TRANS NPN 9.5V 900MHZ SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Gain: 8dB Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 900MHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Obsolete |
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BLT81,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 9.5V 900MHZ SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Gain: 8dB Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 900MHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Obsolete |
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BLT81,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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