BLT81,115 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 9.5V 900MHZ SC-73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 900MHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Obsolete
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Technische Details BLT81,115 NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 9.5V 900MHZ SC-73, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Gain: 8dB, Power - Max: 2W, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V, Frequency - Transition: 900MHz, Supplier Device Package: SC-73, Part Status: Obsolete.
Weitere Produktangebote BLT81,115
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BLT81,115 | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN 6-7.5V 500mA UHF |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BLT81,115 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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BLT81,115 | NXP |
Description: NXP - BLT81,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, SOT-223 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 25 Verlustleistung Pd: 2 Übergangsfrequenz ft: 900 Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 9.5 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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BLT81,115 | NXP |
Description: NXP - BLT81,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, SOT-223 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 25 Verlustleistung Pd: 2 Übergangsfrequenz ft: 900 Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 9.5 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BLT81,115 | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 9.5V 0.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BLT81,115 | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 9.5V 0.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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| BLT81,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN 6-7.5V 500mA UHF
RF Bipolar Transistors NPN 6-7.5V 500mA UHF
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| BLT81,115 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
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| BLT81,115 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - BLT81,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, SOT-223
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Verlustleistung Pd: 2
Übergangsfrequenz ft: 900
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 9.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: NXP - BLT81,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, SOT-223
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Verlustleistung Pd: 2
Übergangsfrequenz ft: 900
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 9.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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| BLT81,115 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - BLT81,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, SOT-223
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Verlustleistung Pd: 2
Übergangsfrequenz ft: 900
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 9.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: NXP - BLT81,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, SOT-223
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Verlustleistung Pd: 2
Übergangsfrequenz ft: 900
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 9.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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| BLT81,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 9.5V 0.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans RF BJT NPN 9.5V 0.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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| BLT81,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 9.5V 0.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans RF BJT NPN 9.5V 0.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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