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BUK762R4-60E,118 NEXPERIA

PHGLS24556-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1036A
Power dissipation: 349W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 158nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Technische Details BUK762R4-60E,118 NEXPERIA

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 120A, Pulsed drain current: 1036A, Power dissipation: 349W, Case: D2PAK; SOT404, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 158nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, Anzahl je Verpackung: 800 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BUK762R4-60E,118 BUK762R4-60E,118 Hersteller : NXP USA Inc. PHGLS24556-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
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BUK762R4-60E,118 BUK762R4-60E,118 Hersteller : Nexperia BUK762R4-60E-1319989.pdf MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
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BUK762R4-60E,118 Hersteller : NEXPERIA PHGLS24556-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1036A
Power dissipation: 349W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 158nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
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