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Technische Details BUK762R4-60E,118 NXP USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W, On-state resistance: 5.2mΩ, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 1036A, Power dissipation: 349W, Gate charge: 158nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 120A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 60V, Application: automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: D2PAK; SOT404.
Weitere Produktangebote BUK762R4-60E,118
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BUK762R4-60E,118 | Nexperia |
 MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BUK762R4-60E,118 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 1036A Power dissipation: 349W Gate charge: 158nC Polarisation: unipolar Drain current: 120A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; SOT404 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK762R4-60E,118 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BUK762R4-60E,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1036A
Power dissipation: 349W
Gate charge: 158nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1036A
Power dissipation: 349W
Gate charge: 158nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
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