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Technische Details BUK762R4-60E,118 NXP USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 158nC, On-state resistance: 5.2mΩ, Drain current: 120A, Power dissipation: 349W, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 1036A, Application: automotive industry, Drain-source voltage: 60V, Case: D2PAK; SOT404, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote BUK762R4-60E,118
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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BUK762R4-60E,118 | Nexperia |
 MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK762R4-60E,118 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W Polarisation: unipolar Gate charge: 158nC On-state resistance: 5.2mΩ Drain current: 120A Power dissipation: 349W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1036A Application: automotive industry Drain-source voltage: 60V Case: D2PAK; SOT404 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK762R4-60E,118 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BUK762R4-60E,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 158nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 349W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1036A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1036A; 349W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 158nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Drain current: 120A
Power dissipation: 349W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1036A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
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