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Technische Details BUK9637-100E,118 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9637-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
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BUK9637-100E,118 | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BUK9637-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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BUK9637-100E,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| BUK9637-100E,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 123A; 96W Mounting: SMD Case: D2PAK; SOT404 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 123A Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A On-state resistance: 0.102Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Gate charge: 22.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9637-100E,118 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK |
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| BUK9637-100E,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 123A; 96W Mounting: SMD Case: D2PAK; SOT404 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 123A Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A On-state resistance: 0.102Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Gate charge: 22.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V |
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