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Technische Details C2M0280120D Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ), Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote C2M0280120D nach Preis ab 9.01 EUR bis 20.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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C2M0280120D | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C2M0280120D | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V |
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C2M0280120D | Hersteller : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm |
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C2M0280120D | Hersteller : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C2M0280120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 10 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| C2M0280120D | Hersteller : CREE |
N-MOSFET 1200V 10A C2M0280120D Wolfspeed TC2M0280120D Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| C2M0280120D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C2M0280120D Produktcode: 173651 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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C2M0280120D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C2M0280120D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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