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CY7C109D-10VXI

CY7C109D-10VXI Infineon Technologies

docid49323.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube
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Technische Details CY7C109D-10VXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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CY7C109D-10VXI CY7C109D-10VXI Hersteller : Infineon Technologies docid49323.pdf SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube
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CY7C109D-10VXI CY7C109D-10VXI Hersteller : Infineon Technologies Infineon_CY7C109D_CY7C1009D_1_Mbit__128_K_8__Stati-3361199.pdf SRAM 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async SRAM
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CY7C109D-10VXI CY7C109D-10VXI Hersteller : Infineon Technologies download Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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1000+ 7.42 EUR
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CY7C109D-10VXI CY7C109D-10VXI Hersteller : INFINEON 2349104.pdf Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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CY7C109D-10VXI CY7C109D-10VXI Hersteller : Infineon Technologies docid49323.pdf SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube
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CY7C109D-10VXI CY7C109D-10VXI Hersteller : Infineon Technologies docid49323.pdf SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube
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CY7C109D-10VXI Hersteller : Cypress Semiconductor download Статична пам'ять SRAM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Паралельний; Об. пам. = 1 Мбайт; Орг. пам. = 128K x 8; Тдост/Частота = 10 нс; Тексп, °С = -40...+85; SOJ-32
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10+ 4.67 EUR
100+ 4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
CY7C109D-10VXI CY7C109D-10VXI Hersteller : Infineon Technologies docid49323.pdf SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube
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CY7C109D-10VXI CY7C109D-10VXI Hersteller : INFINEON (CYPRESS) download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ32; 400mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Memory: 1Mb SRAM
Case: SOJ32
Mounting: SMD
Memory organisation: 128kx8bit
IC width: 400mils
Kind of memory: SRAM
Kind of interface: parallel
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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CY7C109D-10VXI CY7C109D-10VXI Hersteller : INFINEON (CYPRESS) download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ32; 400mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Memory: 1Mb SRAM
Case: SOJ32
Mounting: SMD
Memory organisation: 128kx8bit
IC width: 400mils
Kind of memory: SRAM
Kind of interface: parallel
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
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