CY7C109D-10VXI

CY7C109D-10VXI

Hersteller: INFINEON (CYPRESS)
Material: CY7C109D-10VXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Technische Details CY7C109D-10VXI

Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 1Mb (128K x 8), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tube, Access Time: 10 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 32-SOJ.

Preis CY7C109D-10VXI ab 2.04 EUR bis 6.49 EUR

CY7C109D-10VXI
Hersteller:
CY7C109D-10VI 1-Mbit (128Kx8) Fast SRAM 10ns SOJ32
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22+ 4.78 EUR
CY7C109D-10VXI
Hersteller: Cypress Semiconductor
' SRAM; U, = 4,5...5,5; І = ; . . = 1 ; . . = 128K x 8; / = 10 ; , ° = -40...+85; SOJ-32
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CY7C109D-10VXI
Hersteller: Cypress Semiconductor
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube
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CY7C109D-10VXI
Hersteller: INFINEON (CYPRESS)
Material: CY7C109D-10VXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Hersteller: Cypress Semiconductor
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube
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Hersteller: Cypress Semiconductor
SRAM 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async SRAM
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Hersteller: Cypress Semiconductor
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube
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CY7C109D-10VXI
CY7C109D-10VXI
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Mb (128K x 8)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tube
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-SOJ
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CY7C109D-10VXI
CY7C109D-10VXI
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Description: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
Packaging: Tube
Part Status: Active
Memory Type: Volatile
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Size: 1Mb (128K x 8)
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Access Time: 10ns
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Supplier Device Package: 32-SOJ
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