CY7C109D-10VXI Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 6.09 EUR |
| 27+ | 5.25 EUR |
| 50+ | 5.07 EUR |
| 100+ | 4.91 EUR |
| 250+ | 4.65 EUR |
| 500+ | 3.81 EUR |
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Technische Details CY7C109D-10VXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote CY7C109D-10VXI nach Preis ab 4.93 EUR bis 6.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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CY7C109D-10VXI | Infineon Technologies |
  Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJMemory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) DigiKey Programmable: Not Verified Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Packaging: Tube Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 32-SOJ Memory Organization: 128K x 8 |
auf Bestellung 1238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CY7C109D-10VXI | Infineon Technologies |
SRAM 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async SRAM |
auf Bestellung 1737 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CY7C109D-10VXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32 tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY7C109D-10VXI | Cypress Semiconductor |
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Мбайт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-32 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 23 Stücke |
verfügbar 77 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CY7C109D-10VXI |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
DigiKey Programmable: Not Verified
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Packaging: Tube
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 32-SOJ
Memory Organization: 128K x 8
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
DigiKey Programmable: Not Verified
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Packaging: Tube
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 32-SOJ
Memory Organization: 128K x 8
auf Bestellung 1238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.21 EUR |
| 23+ | 5.64 EUR |
| 46+ | 5.51 EUR |
| 69+ | 5.43 EUR |
| 115+ | 5.34 EUR |
| 253+ | 5.19 EUR |
| 506+ | 5.06 EUR |
| 1012+ | 4.93 EUR |
| CY7C109D-10VXI |
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Hersteller: Infineon Technologies
SRAM 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async SRAM
SRAM 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async SRAM
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.99 EUR |
| 10+ | 5.79 EUR |
| 100+ | 5.58 EUR |
| 250+ | 5.47 EUR |
| 500+ | 5.09 EUR |
| 1150+ | 4.98 EUR |
| CY7C109D-10VXI |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| CY7C109D-10VXI |
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Hersteller: Cypress Semiconductor
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Мбайт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 23 Stücke
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Мбайт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 23 Stücke
verfügbar 77 Stücke: