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CY7C109D-10VXI

CY7C109D-10VXI Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube
auf Bestellung 908 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
25+7.33 EUR
27+6.32 EUR
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Technische Details CY7C109D-10VXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CY7C109D-10VXI CY7C109D-10VXI Infineon Technologies download description Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
DigiKey Programmable: Not Verified
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Packaging: Tube
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 32-SOJ
Memory Organization: 128K x 8
auf Bestellung 1238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
23+6.71 EUR
46+6.56 EUR
69+6.46 EUR
115+6.35 EUR
253+6.18 EUR
506+6.02 EUR
1012+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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CY7C109D-10VXI CY7C109D-10VXI Infineon Technologies Infineon_CY7C109D_CY7C1009D_1_Mbit__128_K_8__Stati-3361199.pdf description SRAM 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async SRAM
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.32 EUR
10+6.89 EUR
100+6.64 EUR
250+6.51 EUR
500+6.06 EUR
1150+5.93 EUR
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CY7C109D-10VXI CY7C109D-10VXI INFINEON 2349104.pdf description Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.97 EUR
20+11.95 EUR
25+10.73 EUR
50+10.56 EUR
100+10.31 EUR
250+10.01 EUR
500+9.64 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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CY7C109D-10VXI Cypress Semiconductor CY7C109D-CY7C1009D.pdf description Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Мбайт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 23 Stücke
verfügbar 77 Stücke:
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CY7C109D-10VXI
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
DigiKey Programmable: Not Verified
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Packaging: Tube
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Supplier Device Package: 32-SOJ
Memory Organization: 128K x 8
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CY7C109D-10VXI
Hersteller: Infineon Technologies
SRAM 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async SRAM
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10+6.89 EUR
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250+6.51 EUR
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1150+5.93 EUR
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CY7C109D-10VXI
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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50+10.56 EUR
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500+9.64 EUR
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CY7C109D-10VXI description CY7C109D-CY7C1009D.pdf
Hersteller: Cypress Semiconductor
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Мбайт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 23 Stücke
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